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0.18um process introduction [复制链接]

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离线Admin_MEMS
 

只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主   发表于: 2012-06-16
— 本帖被 Admin_MEMS 设置为精华(2012-06-17) —
内容总纲:
1. STI/Trench Isolation                  
2. Well Definition/Vt  Adjust                

3. Gate Formation
4. N/PMOS Formation                          

5. Salicide Formation
6. ILD Layer / Contact CT                      (FEOL: device)
7. Metal / VIA  
8. Top Meta l Via
9. Passivation    
描述:0.18um process introduction
附件: 0.18um process introduction.part1.rar (1954 K) 下载次数:102
描述:0.18um process introduction
附件: 0.18um process introduction.part2.rar (1954 K) 下载次数:95
描述:0.18um process introduction
附件: 0.18um process introduction.part3.rar (1000 K) 下载次数:78
希望更多的人喜欢MEMS技术天地
离线bpioc

只看该作者 沙发   发表于: 2012-06-24
一楼的位置好啊..
离线tanl2000

只看该作者 板凳   发表于: 2012-11-26
Nice,感谢分享
离线zhengwei

只看该作者 地板   发表于: 2014-09-22
好!!!
离线西松屋哦

只看该作者 4楼  发表于: 2014-10-06


   HOHO~~~~~~
离线m360057712

只看该作者 5楼  发表于: 2014-12-27
很好,辛苦楼主发这么有意义的帖
离线lxh010398110

只看该作者 6楼  发表于: 2015-03-13
感谢分享
离线sherlockhous

只看该作者 7楼  发表于: 2015-04-23
很好,辛苦楼主发这么有意义的帖
离线sherlockhous

只看该作者 8楼  发表于: 2015-04-23
感谢分享
离线sherlockhous

只看该作者 9楼  发表于: 2015-04-23
Nice,感谢分享
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