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求助,关于电容式压力传感制造工艺流程中,有关刻蚀的问题 [复制链接]

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离线dqraul
 

只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主   发表于: 2015-01-28


1.d)步骤为什么再次氧化,为何不一开始就直接双面腐蚀二氧化硅。
2.f)步骤的形成停刻深度不理解
3.i) 步骤,为什么会先用KOH腐蚀,再DRIE露出测量电极。这是怎么实现的。
求各位大神帮忙,小弟感激不尽。
离线dqraul

只看该作者 沙发   发表于: 2015-01-30
好吧,这几个问题我明白了。
1. 再次氧化是是为了保护电容真空腔。
2. 停刻深度是留出真空腔上极板的厚度
3. 最后一步要么用湿刻蚀,要么DRIE
离线bbsdj

只看该作者 板凳   发表于: 2015-01-30
f)步骤估计是控制时间了
MEMS技术天地:http://memst.csmnt.org.cn/
离线dqraul

只看该作者 地板   发表于: 2015-01-31
回 2楼(bbsdj) 的帖子
bbsdj:f)步骤估计是控制时间了 (2015-01-30 19:32) 

我是从这看到的http://www.eeworld.com.cn/mndz/2008/0515/article_26.html
离线dqraul

只看该作者 4楼  发表于: 2015-02-04
回 2楼(bbsdj) 的帖子
bbsdj:f)步骤估计是控制时间了 (2015-01-30 19:32) 

应该不是控制时间吧,f)应该是用的Bosch工艺,只要右边刻蚀露出电极就结束了。
离线coventorware

只看该作者 5楼  发表于: 2015-03-02
这工艺干嘛要在硅两面刻,明明单侧KOH腐蚀一次形成薄膜在键合玻璃密封就可以形成器件了
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