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[离子注入]离子注入培训教程 [复制链接]

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离线bbsdj
 

只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主   发表于: 2010-07-04
1.什么是离子注入? 
离子注入(Ion Implant)是一种把高能量的掺杂元素的离子注入
半导体晶片中,以得到所需要的掺杂浓度和结深的方法。


2.离子注入安全操作应注意什么? 
1) 本
工艺所接触的固源、气源的安全操作 
固体磷、固体砷、三氟化硼气体均为有毒有害化学品,进行一切与之发生接触的操作维护时,都必须戴好防毒面具、乳胶手套、袖套、围裙等安全防护用品,在通风柜中进行。 


2)
设备安全操作 
①离子注入机在高电压下工作,维护维修时必须关闭电源,拔下操作
面板钥匙,防止有人误操作,打开设备门,用放电棒对离子源气柜、离子源头部件、高压电缆、灯丝电极等部位放掉高压静电,并将放电棒挂在源法兰上,才可进行维护维修操作。

②离子注入机工作时有少量放射线产生,注片过程中严禁打开门,或过分接近设备后部,更不能进入注入机下面的格栅。
③离子注入机离子源工作时产生高温,必须等离子源部件降温后才可进行维护维修操作。

3.请写出离子注入常用源材料、常用离子种类及其AMU(原子质量单位)数值。
离子注入常用源材料:固体磷、固体砷、三氟化硼气体、氩气
常用离子种类:B+—11,BF2+—49,P+—31,As+—75,Ar+—40

4. 哪些工艺在大束流注入机上进行生产?  哪些工艺在中束流注入机上进行生产?  试举例说明。
注入剂量大于5e14cm-2的注入工艺在大束流注入机上进行生产,如MOS电路的源漏注入、电容注入、多晶互连注入等。 
注入剂量小于1e14cm-2的注入工艺在中束流注入机上进行生产,如MOS电路的阱注入、场注入、PT注入、LDD注入、VT注入等等。


5. 产品流程单规定的注入工艺参数有哪些? 
产品流程单规定的注入工艺参数有注入离子种类(AMU)、能量(Energy)、剂量(Dose)、倾斜角(Tilt Angle)等。

6. 注入前的来片检查应注意什么? 
注入前的来片检查应确认产品批号、片数与流程单一致,上道工序已完成,圆片无破损,如有异常应向带班人员报告。

7.用大束流注入机注入的带胶硅片注入前应进行什么处理? 为什么? 
用大束流注入机注入的带胶硅片注入前应进行UV坚膜或热烘处理,防止光刻胶注入后焦糊,下道工序无法清除残胶。

8.带胶硅片注入后做何处理? 
用中束流注入机注入的带胶硅片注入后用湿法去胶。 
用大束流注入机注入的带胶硅片注入后用干法+湿法去胶。


9.注入菜单中,注入束流的大小是如何确定的? 
中束流注入机注入时间不低于10秒,大束流注入机靶盘上下扫描次数不低于10次,便可以保证注入的均匀性;为提高生产率,中束流注入机注入束流的上限以设备可提供的最大束流决定,用大束流注入机注入的带胶硅片注入束流不大于8mA,以免糊胶。 ;

10.注入机注片前应检查那些项目? 
确认水、电、气、毒排风、热排风正常。 
确认设备处于高真空,真空度达10-7 Torr。

确认所用固源、气源已在位,固源已除氧化物。

11.新换的灯丝需要注意什么? 
新换的灯丝(Filament)表面会有一些污物,经离子轰击后会放出大量气体,影响灯丝使用寿命,需进行除气(Outgas)。

12.新换的固源材料需要注意什么?
新换的固源材料表面有一层自然氧化层,阻止内部源材料气化,需进行Burnoff,除去表面氧化物。

13.大束流注入机和中束流注入机各自采用什么扫描方式? 对中束流注入机的扫描波形调节有什么要求?
大束流注入机采用机械扫描方式:靶盘高速旋转及竖直方向上下扫描(速度可调)。 
中束流注入机采用X、Y方向电扫描方式。 
中束流注入机的扫描波形要调至左右对称、边缘陡直、上沿平滑,X、Y方向波形同步、聚焦良好.


14.离子注入常规QC包括哪些? 请简要说明测试手段。 
离子注入常规QC包括 
1)    低剂量QC   热波测试片内多点Phase值分布及均匀性。 
2)    中剂量QC   四探针法测试片内多点表面电阻值分布及均匀性。 
3)    高剂量QC   四探针法测试片内多点表面电阻值分布及均匀性。 
4)    颗粒QC     用颗粒仪测试粒径0.3-0.5um及大于0.5um的颗粒数。


15.请说明大束流注入机的靶盘在注片和维护方面的要求。
大束流注入机的靶盘可放置10个5 英寸硅片,严禁空靶注入,不满时用假片(裸片)补足。 
靶盘应每天运行设备自动清洗程序,当表面RTV材料沾污较严重时,用专用胶纸粘贴,必要时以净化抹布蘸去离子水清洗,待其自然干燥后方可注片。 


16.注入工艺信息作哪些记录?
1) 设备记录:用大束流注入机注入的硅片,工艺信息记录在Data盘上,注片前必须插入Data盘,键入产品批号等信息。用中束流注入机注入的硅片,工艺信息自动记录在硬盘上,注片前必须键入注入源材料、产品批号、片数等信息。 
2) CAM记录:注入结束后,应马上将产品信息键入CAM流片
管理系统

3) 工作记录:注入结束后,将产品及工艺信息记录在本组工作记录本上。

17.大束流注入机注入As、P、B/BF2时,K因子分别为多少? 
K因子即剂量-气压补偿因子,注入As时,K因子为5%,注入P时,K因子为10%,注入B/BF2时,K因子为28%。


18.大束流注入机防止硅片表面电荷积累的部件是什么?
大束流注入机防止硅片表面电荷积累的部件是电子淋浴器(Electron Shower)。

附件: 离子注入工艺资料.rar (748 K) 下载次数:134
MEMS技术天地:http://memst.csmnt.org.cn/
只看该作者 沙发   发表于: 2010-08-05
好东西,正需要
只看该作者 板凳   发表于: 2010-08-05
奇怪,这么好的东西没有人顶
离线hailint

只看该作者 地板   发表于: 2010-09-10
下来看看
离线sunhailang
只看该作者 4楼  发表于: 2010-11-12
很好!
离线mems2010

只看该作者 5楼  发表于: 2010-12-31
谢谢分享
离线馒头黄了

只看该作者 6楼  发表于: 2012-01-20
谢谢楼主哦

只看该作者 7楼  发表于: 2012-07-09
真的吗?太好了,非常喜欢
离线dafa533

只看该作者 8楼  发表于: 2013-04-11
就看看,不说话。
离线wangxinlong0

只看该作者 9楼  发表于: 2013-07-18
非常好
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