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[工艺]国MEMSCAP公司推广MUMPs加工快车 [复制链接]

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离线nancy
 

只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主   发表于: 2011-04-01
MUMPs是非常成熟的多用户共享MEMS加工快车。从1992年至今,利用MUMPs制造的芯片已交付了全世界数百个研究机构和工业客户。MUMPs加工快车采用稳定的标准工艺流程,具有明显的低成本、制造周期短的优势。是研究和工业客户在各个阶段都可以依赖的加工工艺平台。

为更好服务中国市场,微纳联创(北京)科技有限公司代表美国MUMSCAP公司推出面向中国市场的MUMPs加工优惠活动。
推广期:2011年3月至2011年12月,
期间 学术客户:
标价基础上优惠5%;
非学术客户:标价基础上优惠10%。
联系方式:罗小姐(15313893608)
联系邮箱:mumps.china@gmail.com

2011年MUMPs加工快车服务价格



2011年MUMPs加工快车时间表


MUMPs加工快车介绍 MUMPs是一种非常成熟的多用户共享MEMS工艺流程,从1992年开始持续运行至今,已经完成了超过80个完整工艺流水,利用MUMPs制造的芯片已交付了数百个研究机构和工业客户。MUMPs®提供三种独立的多掩膜MEMS工艺流程: PolyMUMPs, SOIMUMPs和MetalMUMPs。 采用MUMPs工艺流程的优势 MUMPs工艺流程具有低成本、制造周期短的优势。由于采用稳定的标准工艺流程,每个工艺层的性能参数稳定可靠,各工艺层的相关性被充分理解和详尽记录。MUMPs工艺流程支持商业客户的务实设计策略,设计者从固定的工艺流程开始,并基于此流程优化设计。这种方法将减少设计优化次数,具有更低并且是固定的开发成本,在功能实现和量产过程中产生将更少障碍,因此优于设计优先策略。

MUMPs是如何运行的? MUMPs提供共享硅片/多项目硅片(MPW)服务,用户首先在周期性工艺流水中购买一个或多个单独芯片单元(1厘米×1厘米),之后提交基于设计规程的设计。8到12周后,用户收到15片相同的加工好的芯片。 下面是关于每个MUMPs工艺流程的详细信息。 PolyMUMPs(详见http://www.memscapinc.com/nc-mumps.poly.html) PolyMUMPs是工业界运行时间最长的MEMS MPW服务,有超过十几的历史。作为MUMPs的创始工艺流程,PolyMUMPs推动了标准工艺流程方法作为实现器件性能和量产的清晰路线。朗讯(Lucent)和前OMM在原型验证阶段很早就使用了PolyMUMPs工艺流程,并在之后对工艺稍加修改支持量产阶段的相关应用。 在上世纪90年代初期,PolyMUMPs是设计者制作MEMS器件的很少选择之一;因此,PolyMUMPs主要被用于制作创新性的器件和形成知识产权。今天,PolyMUMPs扮演了更广泛的角色,可以支持各种各样的用户。 许多大学将PolyMUMPs作为本科生级别的MEMS教学工艺流程。在课程中学习MUMPs工艺流程,在学期当中提交设计,并在学期末及时收到芯片。另一种用途是将PolyMUMPs工艺流程作为验证软件模型和统计研究的工具,用实际制造芯片的测量数据验证理论计算结果。PolyMUMPs工艺流程还作为大规模系统的搭建模块,其中MEMS芯片只是整个系统的一部分。PolyMUMPs工艺流程的可靠参数和可预测结果将有优势地增强MEMS作为“黑箱”中的固定元件。




图1: PolyMUMPs工艺流程 关于PolyMUMPs工艺流程 PolyMUMPs是采用三层多晶硅的表面和体微机械工艺流程。其中有两层牺牲层和一层金属层。八个掩膜生成了7个物理层。PolyMUMPs的最小特征尺寸是2微米。 可以使用PolyMUMPs工艺流程加工的器件包括:声学器件(麦克风),传感器(如加速度计),微流体器件,机器人和显示器件等。


SOIMUMPs (详见
http://www.memscapinc.com/nc-mumps.soi.html)

SOIMUMPs工艺流程在2003年提供商用。 与PolyMUMPs工艺流程不同,SOIMUMPs工艺流程脱胎于MEMSCAP的可变光衰减器,并被优化成更具“多用户友好”特性。


图 2: SOIMUMPs工艺流程 关于SOIMUMPs工艺流程 SOIMUMPs工艺流程从SOI晶圆开始, 包括处理晶圆层(400um固定厚度),埋氧化层和器件层。有10微米、25微米两种器件层厚度可选。

在SOI晶圆每面使用一步光刻工艺,SOIMUMPs允许设计者从SOI晶圆的两侧蚀刻到埋氧化层,能够制造通孔和光通路。两个金属层,一层可以形成键合焊盘,另一层可以形成反射层,都包括在标准工艺流程中。SOIMUMPs工艺流程的最小特征尺寸为2微米。可以使用SOIMUMPs工艺流程加工的器件包括:陀螺,光学器件和显示器件等。



MetalMUMPs (详见
http://www.memscapinc.com/nc-mumps.metal.html

MetalMUMPs工艺流程在2003年提供商用。与SOIMUMPs工艺流程类似,MetalMUMPs工艺流程同样脱胎于MEMSCAP的产品,微继电器,并已被优化为更具“多用户友好”特性。


图 3: MetalMUMPs工艺流程 关于MetalMUMPs工艺流程

MetalMUMPs工艺流程包含三种主要MEMS工艺:准LIGA工艺,厚金属电铸工艺和体与表面微机械加工工艺。非常高的18-22微米镍金属结构,可以制作在多晶硅和氮化硅上,下面有氢氧化钾蚀刻的沟槽。电铸镍作为主要的结构材料和电互联层。掺杂多晶硅可以作为电阻,另外的机械机构,和/或交叉电通路。氮化硅作为电绝缘层。沉积氧化硅(PSG)作为牺牲层。硅衬底中的沟槽层可作为另外的热和电绝缘。金覆盖层可以作为覆盖镍金属结构侧壁的低接触电阻材料。MetalMUMPs工艺流程的最小特征尺寸为5微米。


可以使用MetalMUMPs工艺流程加工的器件包括:继电器,微流体器件,磁开关和RF器件等。
[ 此帖被nancy在2011-04-01 15:30重新编辑 ]
MEMS技术天地:http://memst.csmnt.org.cn/
离线a1919kimo

只看该作者 沙发   发表于: 2011-04-20
thanks for sharing...
离线tee

只看该作者 板凳   发表于: 2011-06-26
请问SOIMUMPs工艺能做RF MEMS开关吗?谢谢
离线Admin_MEMS

只看该作者 地板   发表于: 2011-06-26
回 2楼(tee) 的帖子
金属层厚度太大了,我好像记得有20um左右,可能做RF的话,损耗有点大了
希望更多的人喜欢MEMS技术天地
离线coventorware

只看该作者 4楼  发表于: 2011-11-04
回 3楼(Admin_MEMS) 的帖子
Admin_MEMS:金属层厚度太大了,我好像记得有20um左右,可能做RF的话,损耗有点大了 (2011-06-26 21:39) 

加钱他们给可以给客户自定义厚度的吧,不过这价格确实不便宜
离线cmut

只看该作者 5楼  发表于: 2012-10-18
版主是不是可以分享一下到现在为止的MUMPs的实施情况?还有就是今明两年的投片计划?谢谢!
微加工电容超声传感器CMUT研究
离线jyywo

只看该作者 6楼  发表于: 2013-03-11
初来乍到,请多多关照。








百年不遇的好帖子,不得不顶
离线lsbdm

只看该作者 7楼  发表于: 2013-04-05
顶一下吧~ 很少见的好帖了








MX+OF
离线万官乙才

只看该作者 8楼  发表于: 2013-04-24
初来乍到,请多多关照。

只看该作者 9楼  发表于: 2014-01-17
楼主辛苦了,鼓励一下








顶你一下,好贴要顶!
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